Транзистор КТ916Б

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Производитель:
Наличие:
Под заказ
+7(499)346-62-92

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

  • аАО.336.405 ТУ

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  - 60 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • КТ-16-2

Маркировка

  • 916А – белая точка
  • 916Б – зеленая точка
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Коллектор (К)
№2 Эмиттер (Э)
№3 База (Б)
№4 Эмиттер (Э)
Основные электрические параметры КТ916 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор– эмиттер

КТ916А

КТ916Б

Iкэr мА Uкэ=55B Rэб=10 Ом - 25

40

Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=30 B f=10МГц - 20
Граничная частота коэффициента передачи тока*

КТ916А

КТ916Б

Fгр* МГц Uкэ=10B f=300МГц Iк=1,5А 1100

900

-
Обратный ток эмиттера Iэбо мА Uэб=3,5 B - 4
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас) В Iк=250мА,Iб=30мA - 1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=250мА,Iб=30мA - 0,4

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ916
Параметры Обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 55
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 55
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 3,5
Постоянный ток коллектора Iк max мА 2000
Импульсный ток коллектора Iки max А 4
Температура перехода Тj C 160
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 30