Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2 предназначен для применения только в схеме с общей базой на частотах от 1 до 5 ГГц в генераторах, преобразователях и усилителях мощности в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.405 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 300 МГц fгр 1500 -  
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс, при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА, f = 100 МГц к - 2,0  
Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 30 В IКБ0 - 0,5  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 3 В IЭБ0 - 50  
Выходная мощность (медианное значение), мВт, при UКБ = 20 В, IК = 100 мА, f = 5 ГГц, Pвх = 200 мВт Pвых 450 -  
Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ =15 В, f = 10 МГц Ск - 2,5