Транзистор КТ8170А1

Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный КТ8170А1 предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Производитель:
Наличие:
Под заказ
+7(499)346-62-92

Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный КТ8170А1 предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • АДБК. 432140. 603 ТУ

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  - 60 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
Основные электрические параметры КТ8170 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед.измер Режимы измерения Min Max
Гран. напряжение коллектор-эмиттер

КТ8170А1

* Uкэо гр. В Iк=10mA, Iб=0 400 -
Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ8170А1

* Iкэк мА Uкэ = 700В, Uэб = 0 - 1,0
Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ8170А1

* Iкэо мкА Uкэ = 400В, Rэб =

 

- 3,0

 

Обратный ток эмиттера Iэбо мА Uэб = 9B, Iк = 0 - 1,0
Статический коэффициент передачи тока * h21Е - Uкэ = 2B, Iк = 0,5А 8 40
Uкэ = 2B, Iк = 1,0A 5 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер * Uкэнас В Iк = 0,5A, Iб = 0,1A Iк = 1,0A, Iб = 0,25A Ik = 1,5А, Iб = 0,5А - 0,5

1,0

3,0

Напряжение насыщения база-эмиттер * Uбэнас В Iк = 0,5А, Iб = 0,1A Iк = 1,0A, Iб = 0,25A - 1,0

1,2

Граничная частота коэф. передачи тока fгр. МГц Uкэ = 5B, Iк = 0,1A 4,0 -
Емкость коллекторного перехода Ск пФ Uкб =10B, Iэ =0, f=1МГц - 35
Время включения * tвкл. мкс Uкэ =125В, Iк = 1А, - 1,1
Время спада * tсп. IБ1= IБ2= 0,2А 0,7
Время рассасывания * tрас. 4,0

*- tи 50

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8170
Параметры Обозначение Ед измер. Значение
Напряжение коллектор-база

КТ8170А1

Uкб max В 700
Напряжение коллектор-эмиттер

КТ8170А1

Uкэ max В 400
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 9
Постоянный ток коллектора Iк max А 1,5
Импульсный ток коллектора (tu 10) Iки max А 3,0
Постоянный ток эмиттера Iэ max А 2,25
Постоянный ток базы Iб max А 0,75
Рассеиваемая мощность коллектора: при Ткорп = от -60 до +25 С

при Тсреды = от -60 до +25 С

Pк max Вт 40,0

1,0

Вместе с Транзистор КТ8170А1 смотрят
Транзистор КТ8248А фото
Транзистор КТ8248А
Транзистор КТ817Б9 фото
Транзистор КТ817Б9
Транзистор КТ816Г фото
Транзистор КТ816Г
Транзистор КТ8224А фото
Транзистор КТ8224А