Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором 2П7234А

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Транзистор "2П7234А" кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным р-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, в металлокерамическом корпусе КТ-97В, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Особенности

  • Категория качества ВП,
  • Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C,
  • Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4
  • Масса не более 10 г.

Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТ-97В (TO-254).

Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.578 ТУ.

Надежность

  • 95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
  • Срок сохраняемости - 25 лет.

Указания по эксплуатации

Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем. При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.

При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования:

  • для улучшения теплового баланса, установку транзисторов на радиатор осуществлять с помощью теплопроводящих паст или специальных мягких прокладок;
  • запрещается припайка теплоотводящей поверхности корпуса к теплоотводу;
  • допускается электрическая изоляция корпуса транзистора от радиатора, при этом задание электрического режима должно производится с учетом теплового сопротивления изолирующей прокладки или пасты. При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В)

(UЗИ = 0 В, UСИ = 80 В)

IС. ост -

-

-

-100

-500

-100

25±10

(125±5)

-60±3

Ток стока, А 2) (tи 300 мкс, Q 50, UЗИ = 10 В, UСИ = 5,0 В) -17   25±10
Ток утечки затвора, нА (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В) - - ±100 25±10
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом 2) (tи 300 мкс, Q 50, UЗИ = 10 В, IС = 11 А) RСИ. отк -

-

0,22 25±10
Крутизна характеристики, А/В (UСИ = 25 В, IС = 11 А, tи 300 мкс, Q 50) S 6,2 - 25±10
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 0,25 мА) UЗИ. пор -2,0 -4,0 25±10
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = 17 А, tи 300 мкс, Q 50) Uпр - 5,0 25±10