Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П525А9

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП.

Корпусное исполнение: корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.576 ТУ.

Требования стойкости к внешним воздействующим факторам

Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:

  • механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м с-2 (1500 g) и длительностью действия (0,1 – 2) мс;
  • линейное ускорение 5 000 м с-2 (500 g); • акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2 10-5 Па) 170 дБ;
  • атмосферное пониженное давление 1,3 10-4 (10-6 ) Па (мм рт. ст);
  • повышенная рабочая и предельная температура среды 125 С;
  • повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 С.

Указания по эксплуатации

Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935. Резонансные частоты в диапазоне частот от 10 Гц до 20 000 Гц отсутствуют. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 °С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Перепайка транзистора не допускается. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.

При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий. Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя. Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов. Для обеспечения теплового сопротивления R пер-окр 40 °С/Вт рекомендуется применение теплоотводящей металлизированной площадки размером не менее 15 х 25 мм на стеклотекстолите толщиной 1 мм СФ-1-50Г-1,0 ГОСТ 10316 или другого материала по физико-химическим свойствам не хуже указанного.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока, мкА

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)

(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)

IС. ост  

-

-

-

 

25

100

100

 

25±10

125±5

-60±3

Ток утечки затвора, нА (UЗИ = ±10 В, UСИ = 0 В) IЗ. ут - ±100 25±10
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (tи 2 мс, Q 50) (UЗИ = 5 В, IС = 1 А) RСИ. отк - 1,4 25±10
Крутизна характеристики, А/В (UСИ = 3,0 В, IС = 1,0 А, tи 2 мс, Q 50) S 0,5 - 25±10
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 1 мА) UЗИ. пор 1,5 2,5 25±10
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = 1,0 А, tи 2 мс, Q 50) Uпр - 2,0 25±10