ескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости полевые транзисторы среднего уровня мощности У23.365.007.01, У23.365.007.02, У23.365.007.03, предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах генерации, преобразования и усиления мощности сигналов в диапазоне частот 8...12 ГГц.
Конструкция
Материал контактных площадок — золото анодное Зл.999,9 толщиной 0,7 мкм. Защитное покрытие активной области — лак АД – 9103.
ескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости полевые транзисторы среднего уровня мощности У23.365.007.01, У23.365.007.02, У23.365.007.03, предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах генерации, преобразования и усиления мощности сигналов в диапазоне частот 8...12 ГГц.
Конструкция
Материал контактных площадок — золото анодное Зл.999,9 толщиной 0,7 мкм. Защитное покрытие активной области — лак АД – 9103.
Монтаж транзистора осуществляется пайкой или приклеиванием (при обеспечении условий для отвода тепла) обратной стороны кристалла к основанию схемы и приваркой проволочных выводов к контактным площадкам соответствующих электродов.
Температура пайки - не выше 300°С, время — не более 3 с. Приварка - методами термокомпрессионной или ультразвуковой сварки, температура столика - не выше 300°С. Соединительные проводники - из золотой проволоки диаметром 15...30 мкм.
| Наименование параметра | Значение |
| Начальный ток стока (Uси = 3,0 В; Uзи = 0), мА | 40 … 80 |
| Напряжение отсечки (Uси = 3,0 В; Ic = 1 мА), В | -4,0 …-1,5 |
| Крутизна (Uси = 3,0 В; Ic = 0,5 Ic нач), мС | не менее 20 |
| Обратный ток затвора (Uси = 6,0 В; Uзи = -1,0 В), мкА | не более 0,3 |
| Коэффициент усиления по мощности (f = 10 ГГц; Рвх = 0,5 мВт; Uси = 6,0 В; Ic = (0,5...0,7)Ic нач), дБ | не менее 7 |
| Выходная мощность (f = 10 ГГц; Uси = 6,0 В; Ic = (0,5...0,7)Ic нач), мВт(Pвых): | |
|
не менее 40 |
|
не менее 65 |
|
не менее 85 |
| Предельнодопустимые электрические режимы в диапазоне рабочих температур | - 60...+ 85 °С |
| Постоянное напряжение сток-исток | 7,0 В |
| Постоянное напряжение затвор-исток | 3,5 В |
| Постоянная рассеиваемая мощность | |
|
400 мВт |
|
— линейно уменьшается от 400 мВт при + 50°С до 250 мВт при + 85 °С |
