Транзистор КТ660Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Транзистор КТ660Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.669 ТУ
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | База |
| №3 | Коллектор |
| Параметры | Обозначение | Ед.измер | Режимы измерения | Min | Max |
| Граничное напряжение коллектор - эмиттер
КТ660А КТ660Б |
Uкэо гр.* | В | Iк= 10mA, Iб=0 | 30
25 |
-
- |
| Обратный ток коллектора
КТ660А КТ660Б |
Iкбо | мкА | Uкб=45В,Iэ=0 Uкб=30В,Iэ=0 | - | 1,0 |
| Статический коэффициент передачи тока
КТ660А КТ660Б |
h21Е | - | Uкб=10B,Iэ=2мA f=50МГц | 110
200 |
220
450 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=500мA, Iб=50мA | - | 0,5 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
КТ660А КТ660Б |
Uкэ(нас) | В | Iк=10мA, Iб=1мA | -
- |
0,05
0,035 |
| Напряжение насыщения база - эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=500мA, Iб=50мA | - | 1,2 |
| Емкость коллекторного перехода | Ск | пФ | Uкб=10B,Iэ=0 f=10МГц | - | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | fгр | МГц | Uкэ=10B,Iк=50мA | 200 | - |
* Справочные параметры
| Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-база
КТ660А КТ660Б |
Uкб max | В | 50
30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер
КТ660А КТ660Б |
Uкэr max | В | 45
30 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 800 |
| Импульсный ток коллектора
(tи 5) |
Iки max | мА | 1000 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 500 |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора | Pи max | мВт | 1000 |
| Температура перехода | Tп | C | 150 |
