Транзистор КТ645А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Транзистор КТ645А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.333 ТУ
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | База |
| №3 | Коллектор |
| Параметры | Обозначение | Ед.измер | Режимы измерения | Min | Max |
| Граничное напряжение коллектор - эмиттер КТ645Б | Uкэо гр.* | В | Iк= 10mA, Iб=0 | 30 | - |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкб=40 - 60В,Iэ=0 | - | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока
КТ645А КТ645Б |
h21Е | - | Uкб=2B,Iэ=150мA Uкб=10B,Iэ=2мA | 20
80 |
200 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер
КТ645А КТ645Б |
Uкэ(нас) | В | Iк=150мA,Iб=15мA Iк=10мA, Iб=1мA | -
- |
0,5
0,05 |
| Напряжение насыщения база - эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=150мA, Iб=15мA | - | 1,2 |
| Время рассасывания КТ645А | tрас | нс | Iб1=Iб2=15мА, Iк=150мА | - | 50 |
| Емкость коллекторного перехода | Ск | пФ | Uкб=10В,f=10МГц | - | 5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | fгр * | МГц | Uкэ=10B,Iк=50мA | 250 | - |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | tк * | пс | Uкб=5В, Iэ=5мА,
f=5МГц |
- | 120 |
* Справочные параметры
| Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-база
КТ645А КТ645Б |
Uкб max | В | 60
40 |
| Напряжение коллектор-эмиттер
КТ645А КТ645Б |
Uкэr max | В | 50
40 |
| Напряжение эмиттер-база
КТ645А КТ645Б |
Uэб max | В | 4
5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 300 |
| Импульсный ток коллектора
(tи 5) |
Iки max | мА | 600 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 500 |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора | Pи max | мВт | 1000 |
| Температура перехода | Tп | C | 150 |
