Транзистор КТ610Б

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ610Б в металлическом корпусе предназначен для использования в аппаратуре связи и радиотехнических устройствах широкого применения.

Производитель:
Наличие:
Под заказ
+7(499)346-62-92

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ610Б в металлическом корпусе предназначен для использования в аппаратуре связи и радиотехнических устройствах широкого применения.

Обозначение технических условий

  • Я53.365.005 ТУ

Особенности

  • рабочих температур от - 45 до + 85 С

Корпусное исполнение

  • металлический корпус КТ-16-2

Маркировка

  • 610А – черная точка на коричневой поверхности
  • 610Б – красная точка на коричневой поверхности
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Коллектор (К)
№2 Эмиттер (Э)
№3 База (Б)
№4 Эмиттер (Э)
Основные электрические параметры КТ610 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=26B - 0,5
Статический коэффициент передачи тока КТ610А

КТ610Б

h21Е   Uкб=10 B, Iэ= 150 мA 50

20

300

300

Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=10B f=107 Гц - 4,1
Емкость эмиттерного перехода* Сэ* пФ Uэб=0 f=107 Гц - 21
Граничная частота коэффициента передачи тока*

КТ610А

КТ610Б

Fгр* МГц Uкэ=10B f=108 Гц

Iк=150мА

1000

700

-

-

Обратный ток эмиттера Iэбо мкА Uэб=4 B - 100
Граничное напряжение Uкэогр В Iэ=50мА 20 -

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ610
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 26
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 26
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 300
Температура перехода Тj 0C 150
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 1,5
Вместе с Транзистор КТ610Б смотрят
Транзистор КТ6114В фото
Транзистор КТ6114В
Транзистор КТ6115Г фото
Транзистор КТ6115Г
Транзистор КТ503Б фото
Транзистор КТ503Б
Транзистор КТ6113А фото
Транзистор КТ6113А