Матрицы диодные Y27.340.010 ТУ применяются для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества. Устройства выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. В зависимости от количества задействованных диодов обеспечивается биполярная защита изделий микроэлектроники с напряжением питания 0,5 - 6 В. Электрическое соединение МИС с элементами сборочных единиц осуществляется через контактные площадки путем термокомпрессии или импульсной сварки.
Матрицы диодные Y27.340.010 ТУ применяются для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества. Устройства выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. В зависимости от количества задействованных диодов обеспечивается биполярная защита изделий микроэлектроники с напряжением питания 0,5 - 6 В. Электрическое соединение МИС с элементами сборочных единиц осуществляется через контактные площадки путем термокомпрессии или импульсной сварки. Основные преимущества: низкие шумы, высокое быстродействие, широкий диапазон рабочих температур.
| Падение напряжения при токе в прямом направлении 1 мА,В | 0,5-1,0 |
| Дифференциальное сопротивление в интервале тока в прямом направлении (5-10) мА, Ом | 7-15 |
| Максимально допустимый ток в прямом направлении, мА | 50 |
| Диапазон рабочих температур, °С | -255...+85 |
| Габаритные размеры и схема соединения 12 диодов, мм | 1,5x1,0x0,1 |
