Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т331В-5

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы 2Т331В-5, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах, в составе интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Обозначение технических условий - ХМО.336.003 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Обратный ток коллектора, мкА, (UКБ = 32 В) IКБО - 0,05
Обратный ток эмиттера, мкА, (UЭБ = 3,5 В) IЭБО - 0,1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА) h21Э 95 180
Постоянное напряжение эмиттер- база, В, (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА) UЭБО - 0,72