Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т3160А-2

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Кремниевый эпитаксиально-планарный импульсный бескорпусный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 предназначен для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Обозначение технических условий - аАО.339.591 ТУ. Бескорпусное исполнение.Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 С.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 50 В IКБО - 10
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В IЭБО - 50
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, при UКЭ = 3 В, IК = 150 мА, n 30 мкс, Q 50 h21Э 3 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц fгр 200 -
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 UКЭ нас - 0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 UБЭ нас - 1,2
Граничное напряжение, В, при IБ = 0, IЭ = 10 мА, n 30 мкс, Q 50 UКЭОгр 36 -
Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц СК - 5
Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц СЭ - 30
Время рассасывания, нс, при IК = 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 tрас - 100