Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор "2Т3117А"

Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - аАО.339.256 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ1-7 (ТО-18). Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125С

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Ед. изм. Режимы измеpения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=60B 0,01 5
Статический коэффициент передачи тока h21Е   Uкб=-5B,Iэ=200Мa f=50Гц tи 30мкс Q 50 40 200
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 0,2 0,5
Напряжение насыщения база - эмиттер Uбэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 0,6 1,2
Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=10B, Iэ=0, f=107 Гц 40 80
Обратный ток эмиттера Iэбo мкА Uэб= 4 B 0,01 5