Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2ДC628А

Нет фото

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.001 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 402.12-2.

Производитель:
Наличие:
Под заказ
+7(499)346-62-92

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.001 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 402.12-2.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   5
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 300 мА, В Uпр 0,95 1,25
Время обратного восстановления диода, нс, (Iпр = 300 мА, Uобр,и = 30 В, Iобр.отсч = 10 мА, R = 1 кОм) tвос,обр   50
Общая емкость диодов ДМП, замеряемая между выводами 01 (12) и 02 или 10 (11) и 02 при закороченных выводах 02 09 ДМП и нулевом смещении, пФ СД   32