Фотодиод ФД-299М

Категория:
Цена: По запросу
Нужна консультация?
  • 7(499) 677-66-22
  • priborpost@yandex.ru

Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения

Отличительные особенности

  • повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
  • негерметичное безкорпусное исполнение.
Технические характеристики
Наименование параметра Значение
Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 2х2
Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее 3,6
Область спектральной чувствительности, мкм 0,4-1,0
Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более 60