Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения
Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения
Отличительные особенности
- повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
- негерметичное безкорпусное исполнение.
| Наименование параметра | Значение |
| Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 | 2х2 |
| Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее | 3,6 |
| Область спектральной чувствительности, мкм | 0,4-1,0 |
| Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более | 60 |
